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Deep 서브마이크론 LDD-nMOSFET의 핫-캐리어 현상 억제를 위한 반경험적인 LDD 공정설계에 관한 연구 = (A)study on semi-empirical LDD process design for suppression of hot-carrier effects in deep submicron LDD-nMOSFETs
표제/저자사항 Deep 서브마이크론 LDD-nMOSFET의 핫-캐리어 현상 억제를 위한 반경험적인 LDD 공정설계에 관한 연구 = (A)study on semi-empirical LDD process design for suppression of hot-carrier effects in deep submicron LDD-nMOSFETs / 안태현, 김남훈, 김창일, 서용진, 장의구
형태사항 p. 193-199: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.12 no.3(1999년 3월), p. 193-199 12:3<193 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 안태현, 중앙대학교 전자전기공학과
저자: 김남훈, 중앙대학교 전자전기공학과
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학과 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
저자: 서용진, 대불대학교 전자전기공학과
저자: 장의구, 중앙대학교 전자전기공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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