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감압화학증착의 이단계 성장으로 실리콘 기판 위에 증착한 in-situ 인 도핑 다결정 실리콘 박막의 미세구조 조절 = Manipulation of microstructure of in-situ phosphotus-doped poly silicon films deposited on silicon substrate using two step growth of reduced pressure chemical vapor deposition
표제/저자사항 감압화학증착의 이단계 성장으로 실리콘 기판 위에 증착한 in-situ 인 도핑 다결정 실리콘 박막의 미세구조 조절 = Manipulation of microstructure of in-situ phosphotus-doped poly silicon films deposited on silicon substrate using two step growth of reduced pressure chemical vapor deposition / 김홍승, 심규환, 이승윤, 이정용, 강진영
형태사항 p. 95-100: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.13 no.2(2000년 2월), p. 95-100 13:2<95 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김홍승, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 E-MAIL: hongseung@etri.re.kr
저자: 심규환, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
저자: 이승윤, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
저자: 이정용, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 강진영, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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