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자연 산화물 분산 촉진에 의한 실 시간 인 도핑 실리콘의 고품질 에피택셜 저온 성장 = High-quality epitaxial low temperature growth of in situ phosphorus-doped Si films by promoting dispersion of native oxides
표제/저자사항 자연 산화물 분산 촉진에 의한 실 시간 인 도핑 실리콘의 고품질 에피택셜 저온 성장 = High-quality epitaxial low temperature growth of in situ phosphorus-doped Si films by promoting dispersion of native oxides / 김홍승, 심규환, 이승윤, 이정용, 강진영
형태사항 p. 125-130: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.13 no.2(2000년 2월), p. 125-130 13:2<125 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김홍승, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소 E-MAIL: hongseung@etri.re.kr
저자: 심규환, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
저자: 이승윤, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
저자: 이정용, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 강진영, 한국전자통신연구원 회로소자기술연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
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05201▼a470▼b15-3
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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