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탈이온수의 압력과 정제된 N₂가스가 ILD-CMP 공정에 미치는 영향 = Influence of DI water pressure and purified N₂ gas on the inter level dielectric-chemical mechanical polishing process
표제/저자사항 탈이온수의 압력과 정제된 N₂가스가 ILD-CMP 공정에 미치는 영향 = Influence of DI water pressure and purified N₂ gas on the inter level dielectric-chemical mechanical polishing process / 김상용, 이우선, 서용진, 김창일, 장의구, 박진성
형태사항 p. 812-816: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.13 no.10(2000년 10월), p. 812-816 13:10<812 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김상용, 아남반도체 FAB사업부
저자: 이우선, 조선대학교 공과대학 전기제어계측공학부 E-MAIL: wslee@mail.chosun.ac.kr
저자: 서용진, 대불대학교 전기전자공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기제어공학부
저자: 장의구, 중앙대학교 전자전기제어공학부
저자: 박진성, 조선대학교 재료공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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