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플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석 = Investigation of annealing effect for a-SiC:H thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
표제/저자사항 플라즈마 화학기상 증착방식으로 성장시킨 비정질 실리콘 카바이드 박막의 열처리 효과에 관한 특성분석 = Investigation of annealing effect for a-SiC:H thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition / 박문기, 김용탁, 최원석, 윤대호, 홍병유
형태사항 p. 817-821: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.13 no.10(2000년 10월), p. 817-821 13:10<817 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 박문기, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부
저자: 김용탁, 성균관대학교 금속 재료공학부
저자: 최원석, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부
저자: 윤대호, 성균관대학교 금속 재료공학부
저자: 홍병유, 성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부 E-MAIL: byhong@yurim.skku.ac.kr
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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