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0.12㎛ 설계규칙을 갖는 DRAM 셀 주요 레이어의 OPC 및 PSM = Study the feasibility of optical lithography for critical layers of 0.12㎛ DRAM
표제/저자사항 0.12㎛ 설계규칙을 갖는 DRAM 셀 주요 레이어의 OPC 및 PSM = Study the feasibility of optical lithography for critical layers of 0.12㎛ DRAM / 박기천, 오용호, 임성우, 고춘수, 이재철
형태사항 p. 6-11: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.1(2001년 1월), p. 6-11 14:1<6 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 박기천, 원광대학교 물리 반도체학부 E-MAIL: sky73@shinbiro.com
저자: 오용호, 원광대학교 물리 반도체학부
저자: 임성우, 원광대학교 물리 반도체학부
저자: 고춘수, 원광대학교 물리 반도체학부
저자: 이재철, 원광대학교 물리 반도체학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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