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전기화학적 식각정지에 의한 고수율 실리콘 박막 멤브레인 제작 = Fabrication of high-yield Si thin-membranes by electrochemical etch-stop
표제/저자사항 전기화학적 식각정지에 의한 고수율 실리콘 박막 멤브레인 제작 = Fabrication of high-yield Si thin-membranes by electrochemical etch-stop / 정귀상, 박진상, 이원재, 송재성
형태사항 p. 223-227: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.3(2001년 3월), p. 223-227 14:3<223 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 정귀상, 동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스전공 E-MAIL: gschung@dongseo.ac.kr
저자: 박진성, 삼성종합기술원 MEMS팀
저자: 이원재, KERI 전자기소자연구그룹
저자: 송재성, KERI 전자기소자연구그룹
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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