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유전 알고리즘을 이용한 다중 양자 우물 구조의 갈륨비소 광수신소자 공정변수의 최적화 = Optimization of device process parameters for GaAs / AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes using genetic algorithms
표제/저자사항 유전 알고리즘을 이용한 다중 양자 우물 구조의 갈륨비소 광수신소자 공정변수의 최적화 = Optimization of device process parameters for GaAs / AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes using genetic algorithms / 김의승, 오창훈, 이서구, 이봉용, 이상렬, 명재민, 윤일구
형태사항 p. 241-245: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.3(2001년 3월), p. 241-245 14:3<241 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김의승, 연세대학교 전기전자공학과
저자: 오창훈, 연세대학교 전기전자공학과
저자: 이서구, 연세대학교 전기전자공학과
저자: 이봉용, 연세대학교 전기전자공학과
저자: 이상렬, 연세대학교 전기전자공학과
저자: 명재민, 연세대학교 금속공학과 E-MAIL: iyun@yonsei.ac.kr
저자: 윤일구, 연세대학교 전기전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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