기사
Hot wall epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성 = Growth and characterization of CuInSe₂ single crystal thin film by hot wall epitaxy
표제/저자사항 Hot wall epitaxy(HWE)법에 의한 CuInSe₂ 단결정 박막 성장과 특성 = Growth and characterization of CuInSe₂ single crystal thin film by hot wall epitaxy / 홍광준, 이상열, 박진성
형태사항 p. 445-454: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.6(2001년 6월), p. 445-454 14:6<445 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 홍광준, 조선대학교 물리학과
저자: 이상열, 조선대학교 물리학과 E-MAIL: sylee@mail.chosun.ac.kr
저자: 박진성, 조선대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로