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유도 결합 플라즈마를 이용한 CeO₂ 박막의 식각 메카니즘 = (The)etching mechanism of CeO₂ thin films using inductively coupled plasma
표제/저자사항 유도 결합 플라즈마를 이용한 CeO₂ 박막의 식각 메카니즘 = (The)etching mechanism of CeO₂ thin films using inductively coupled plasma / 오창석, 김창일
형태사항 p. 695-699: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.9(2001년 9월), p. 695-699 14:9<695 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 오창석, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학부 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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