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CF₄ / Ar 플라즈마 내 Cl₂첨가에 의한 SrBi₂Ta₂$$O_9$$< / TEX> 박막의 식각 특성 = Etching characteristics of SrBi₂Ta₂$$O_9$$< / TEX> thin film with adding Cl₂ into CF₄ / Ar plasma
표제/저자사항 CF₄ / Ar 플라즈마 내 Cl₂첨가에 의한 SrBi₂Ta₂$$O_9$$< / TEX> 박막의 식각 특성 = Etching characteristics of SrBi₂Ta₂$$O_9$$< / TEX> thin film with adding Cl₂ into CF₄ / Ar plasma / 김동표, 김창일, 이원재, 유병곤, 김태형, 장의구
형태사항 p. 714-719: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.9(2001년 9월), p. 714-719 14:9<714 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김동표, 중앙대학교 전기전자공학부 E-MAIL: dpkim@ms.cau.ac.kr
저자: 김창일, 중앙대학교 전기전자공학부
저자: 이원재, 한국전자통신연구소
저자: 유병곤, 한국전자통신연구소
저자: 김태형, 여주대학 전기과
저자: 장의구, 중앙대학교 전기전자공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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