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CF₄ / Ar 가스 플라즈마를 이용한 YMnO₃ 박막의 식각 반응연구 = Etching mechanism of YMnO₃ thin films in high density CF₄ / Ar plasma
표제/저자사항
CF₄ / Ar 가스 플라즈마를 이용한 YMnO₃ 박막의 식각 반응연구 = Etching mechanism of YMnO₃ thin films in high density CF₄ / Ar plasma / 김동표, 김창일, 이철인
형태사항
p. 959-964: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.12(2001년 12월), p. 959-964 14:12<959 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김동표, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학부 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
저자: 이철인, 안산공대 전기과
저자: 김동표, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학부 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
저자: 이철인, 안산공대 전기과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
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300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
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710 ▼a토지문화재단
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
