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GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광 = Photoluminescence in carbon-doped GaAs epilayers grown on GaAs (311)A
표제/저자사항
GaAs (311)A 기판 위에 성장된 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 광여기 발광 = Photoluminescence in carbon-doped GaAs epilayers grown on GaAs (311)A / 조신호
형태사항
p. 208-213: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.3(2002년 3월), p. 208-213 15:3<208 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 조신호, 신라대학교 광전자공학과, 극초단광전자연구소 E-MAIL: scho@silla.ac.kr
저자: 조신호, 신라대학교 광전자공학과, 극초단광전자연구소 E-MAIL: scho@silla.ac.kr
출처
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
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300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
