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CI₂ / CF₄ 플라즈마에 Ar, O₂ 첨가에 따른 PZT 박막의 식각 손상 개선 효과 = Reduce of etching damage of PZT thin films with addition of Ar and O₂ in CI₂ / CF₄ plasma
표제/저자사항 CI₂ / CF₄ 플라즈마에 Ar, O₂ 첨가에 따른 PZT 박막의 식각 손상 개선 효과 = Reduce of etching damage of PZT thin films with addition of Ar and O₂ in CI₂ / CF₄ plasma / 강명구, 김경태, 김창일
형태사항 p. 319-324: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.4(2002년 4월), p. 319-324 15:4<319 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 강명구, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김경태, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학부 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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