국가전거
저자 전거 검색
기사
고온 응용을 위한 SiC MOSFET 문턱전압 모델 = Modeling the threshold voltage of SiC MOSFETs for high temperature applications
표제/저자사항
고온 응용을 위한 SiC MOSFET 문턱전압 모델 = Modeling the threshold voltage of SiC MOSFETs for high temperature applications / 이원선, 오충완, 최재승, 신동현, 이형규, 박근형, 김영석
형태사항
p. 559-563: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.7(2002년 7월), p. 559-563 15:7<559 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 이원선, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부 E-MAIL: kimys@cbucc.chungbuk.ac.kr
저자: 오충완, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 최재승, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 신동현, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 이형규, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 박근형, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 김영석, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 이원선, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부 E-MAIL: kimys@cbucc.chungbuk.ac.kr
저자: 오충완, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 최재승, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 신동현, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 이형규, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 박근형, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 김영석, 충북대학교 전기전자및컴퓨터공학부
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
00520150303111639
007ta
008150107s2001 gak 100 kor
0490 ▼lEM6076783▼lEM6076784▼c2▼fSY
05201▼a470▼b15-3
056 ▼a470▼26
08201▼a570▼223
24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
