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Ar / CF₄ 유도결합 플라즈마를 이용한 (B$$a_{0.6}$$S$$r_{0.4}$$< / TEX>)TiO₃ 박막의 식각 특성 = (The)etching characteristics of (B$$a_{0.6}$$S$$r_{0.4}$$< / TEX>)TiO₃ films using Ar / CF₄ inductively coupled plasma
표제/저자사항 Ar / CF₄ 유도결합 플라즈마를 이용한 (B$$a_{0.6}$$S$$r_{0.4}$$< / TEX>)TiO₃ 박막의 식각 특성 = (The)etching characteristics of (B$$a_{0.6}$$S$$r_{0.4}$$< / TEX>)TiO₃ films using Ar / CF₄ inductively coupled plasma / 강필승, 김경태, 김동표, 김창일, 이수재
형태사항 p. 933-938: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.11(2002년 11월), p. 933-938 15:11<933 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 강필승, 중앙대학교 전자전기공학부 E-MAIL: cikim@cau.ac.kr
저자: 김경태, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김동표, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 김창일, 중앙대학교 전자전기공학부
저자: 이수재, ETRI 반도체 원천기술 기술 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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