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Monte Carlo 모의실험에 의한 Si 반전층에서의 전자 전송특성에 대한 연구 = (A)study of transport prtperties fo electron in Si inversion later using a Monte Carlo simulation
표제/저자사항 Monte Carlo 모의실험에 의한 Si 반전층에서의 전자 전송특성에 대한 연구 = (A)study of transport prtperties fo electron in Si inversion later using a Monte Carlo simulation / 金祥用, 朴成鎬, 金忠源, 卜鎭文, 韓百亨, 金炯寬, 金玉經
형태사항 p. 66-74: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 28卷 6號(1991년 6월), p. 66-74 28:6<66 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 김상용, 정회원, 한양대학교 물리학과
저자: 박성호, 정회원, 한양대학교 전자공학과
저자: 김충원, 정회원, 한선대학교 컴퓨터공학과
저자: 복진문, 정회원, 한양대학교 물리학과
저자: 한백형, 정회원, 한양대학교 물리학과
저자: 김형관, 정회원, 한양대학교 물리학과
저자: 김옥경, 정회원, 한양대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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