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Low Temperature (LT) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 = (The)growth and its characteristics of low temperature(LT. 250.deg. C) GaAS Epilayer
표제/저자사항 Low Temperature (LT) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구 = (The)growth and its characteristics of low temperature(LT. 250.deg. C) GaAS Epilayer / 金泰根, 朴廷浩, 趙燻永, 閔碩基
형태사항 p. 96-103: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 31卷 9號(1994년 9월), p. 96-103 31:9<96 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 김태근, 고려대학교 전자공학과
저자: 박정호, 고려대학교 전자공학과
저자: 조훈영, 동국대학교 물리학과
저자: 민석기, 한국과학기술원 정보전자부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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