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APCVD를 이용한 SiGe 베이스 이종 접합 바이폴라 소자 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characteristics of the SiGe base heterojunction bipolar transistors using APCVD
표제/저자사항 APCVD를 이용한 SiGe 베이스 이종 접합 바이폴라 소자 제작 및 특성 분석 = Fabrication and characteristics of the SiGe base heterojunction bipolar transistors using APCVD / 韓泰鉉, 李秀珉, 趙德鎬, 李成玹, 簾炳烈, 姜鎭榮
형태사항 p. 124-130: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 31卷 11號(1994년 11월), p. 124-130 31:11<124 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 한태현, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 이수민, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 조덕호, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 이성현, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 염병렬, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 강진영, 한국전자통신연구소 반도체연구단
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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