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0.1㎛ 표면 채널 GR-pMOSFET의 스케일링에 관한 연구 = (A)study on the scale-down of 0.1㎛ surface-channel GR-pMOSFET
표제/저자사항 0.1㎛ 표면 채널 GR-pMOSFET의 스케일링에 관한 연구 = (A)study on the scale-down of 0.1㎛ surface-channel GR-pMOSFET / 許然喆, 李佑炯, 朴柄國, 朴榮俊, 李鍾德
형태사항 p. 131-137: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 31卷 11號(1994년 11월), p. 131-137 31:11<131 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 허연철, 서울대학교 전자공학과 반도체연구소
저자: 이우형, 서울대학교 전자공학과 반도체연구소
저자: 박병국, 서울대학교 전자공학과 반도체연구소
저자: 박영준, 서울대학교 전자공학과 반도체연구소
저자: 이종덕, 서울대학교 전자공학과 반도체연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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