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GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 = GaAs MESFETs using GaAs and AlGaAs buffer layers
표제/저자사항 GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 = GaAs MESFETs using GaAs and AlGaAs buffer layers / 郭東華, 李熙哲
형태사항 p. 38-43: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 31卷 12號(1994년 12월), p. 38-43 31:12<38 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 곽동화, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: 이희철, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: Kwak, Dong-Hwa, KAIST
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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