국가전거
저자 전거 검색
기사
GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 = GaAs MESFETs using GaAs and AlGaAs buffer layers
표제/저자사항
GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 = GaAs MESFETs using GaAs and AlGaAs buffer layers / 郭東華, 李熙哲
형태사항
p. 38-43: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 31卷 12號(1994년 12월), p. 38-43 31:12<38 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 곽동화, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: 이희철, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: Kwak, Dong-Hwa, KAIST
저자: 곽동화, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: 이희철, 한국과학기술원 전기 및 전자공학과
저자: Kwak, Dong-Hwa, KAIST
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
00520150303111639
007ta
008150107s2001 gak 100 kor
0490 ▼lEM6076783▼lEM6076784▼c2▼fSY
05201▼a470▼b15-3
056 ▼a470▼26
08201▼a570▼223
24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)