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실리콘 산화막을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막트랜지스터 제작 = Fabrication of amorphous silicon thin film transistors using the SiO₂film
표제/저자사항 실리콘 산화막을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막트랜지스터 제작 = Fabrication of amorphous silicon thin film transistors using the SiO₂film / 李景夏, 田正牧, 李泰陳, 張震
형태사항 p. 47-51: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 29卷 5號(1992년 5월), p. 47-51 29:5<47 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 이경하, 준회원, 경희대학교 물리학과
저자: 전정목, 준회원, 경희대학교 물리학과
저자: 이태진, 준회원, 경희대학교 물리학과
저자: 장진, 정회원, 경희대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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