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고온전자의 충돌 이온화 및 게이트 산화막 주입 모델링을 위한 Tail 전자 Hydrodynamic 모델 = Tail electron hydrodynamic model for consisten modeling of impact ionization and injection into gate oxide by hot electrons
표제/저자사항 고온전자의 충돌 이온화 및 게이트 산화막 주입 모델링을 위한 Tail 전자 Hydrodynamic 모델 = Tail electron hydrodynamic model for consisten modeling of impact ionization and injection into gate oxide by hot electrons / 安在璥, 朴榮俊, 閔弘植
형태사항 p. 100-109: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 32卷 3號(1995년 3월), p. 100-109 32:3<100 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 안재경, 정회원, LG반도체(주) ULSI 연구소
저자: 박영준, 정회원, 서울대학교 반도체 공동 연구소 및 전자 공학과
저자: 민홍식, 정회원, 서울대학교 반도체 공동 연구소 및 전자 공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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