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다단자 반도체 소자에서의 steady-state Nyquist 정리를 이용한 FET의 회소 잡음 지수 및 최적 소오스 임피던스 모델링 = Modeling of the minimum noise figure and the optimum source impedance of FETs using the steady-state nyquist theorem for multi-terminal semiconductor devices
표제/저자사항 다단자 반도체 소자에서의 steady-state Nyquist 정리를 이용한 FET의 회소 잡음 지수 및 최적 소오스 임피던스 모델링 = Modeling of the minimum noise figure and the optimum source impedance of FETs using the steady-state nyquist theorem for multi-terminal semiconductor devices / 李禎培, 閔弘植, 朴榮俊
형태사항 p. 110-117: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 32卷 3號(1995년 3월), p. 110-117 32:3<110 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 이정배, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소
저자: 민홍식, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소
저자: 박영준, 정회원, 서울대학교 전자공학과 및 반도체 공동 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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