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증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스 / 드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작 = Fabrication of deep submicron PMOSFET with the source / drain formed by the mothod of As-Preamorphization though the predeposited amorphous Si layer
표제/저자사항 증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스 / 드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작 = Fabrication of deep submicron PMOSFET with the source / drain formed by the mothod of As-Preamorphization though the predeposited amorphous Si layer / 權相直, 金如換, 申永和, 金鍾焌, 李鐘德
형태사항 p. 51-58: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 32卷 6號(1995년 6월), p. 51-58 32:6<51 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 권상직, 정회원, 경원대학교 전자공학과
저자: 김여환, 정회원, 관동대학교 전자공학과
저자: 신영화, 정회원, 경원대학교 전자공학과
저자: 김종준, 정회원, 서울대학교 반도체공동연구소
저자: 이종덕, 정회원, 서울대학교 반도체공동연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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