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재결정화된 다결정 nMOSFET의 제작 및 그 전기적 특성 = Fabrication of the recrystallized poly silicon nMOSFET and its electrical characteristics
표제/저자사항 재결정화된 다결정 nMOSFET의 제작 및 그 전기적 특성 = Fabrication of the recrystallized poly silicon nMOSFET and its electrical characteristics / 金柱榮, 姜文祥, 金基洪, 具用書, 安哲
형태사항 p. 91-96: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 29卷 11號(1992년 11월), p. 91-96 29:11<91 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 김주영, 정회원, 현대전자 반도체 연구소
저자: 강문상, 정회원, 서강대학교 전자공학과
저자: 김기홍, 정회원, 서강대학교 전자공학과
저자: 구용서, 정회원, 서강대학교 전자공학과
저자: 안철, 정회원, 서강대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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