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1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결합 및 회복기구의 XTEM 분석 = XTEM sudy of 1 MeV argon ion implantation induced defects in Si and their annealing behavior
표제/저자사항 1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결합 및 회복기구의 XTEM 분석 = XTEM sudy of 1 MeV argon ion implantation induced defects in Si and their annealing behavior / 金光一, 權英規, 裵泳鎬, 鄭旭珍, 金氾晩, 桑野博
형태사항 p. 42-48: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌.A. 大韓電子工學會. 30卷 8號(1993년 8월), p. 42-48 30:8<42 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 김광일, 정회원, 산업공학기술연구소, 전자전기 연구분야
저자: 권영규, 정회원, 산업공학기술연구소, 전자전기 연구분야
저자: 배영호, 정회원, 산업공학기술연구소, 전자전기 연구분야
저자: 정욱진, 정회원, 산업공학기술연구소, 전자전기 연구분야
저자: 김범만, 정회원, 포항공과대학, 전자전기공학과
저자: 구와노 히로시, 게이오기주쿠대학이공학부전기과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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