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격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성 = Electrical properties of SOI n-MOSFET's under nonisothermal lattice temperature
표제/저자사항 격자온도 불균일 조건에서 SOI n-MOSFET의 전기적 특성 = Electrical properties of SOI n-MOSFET's under nonisothermal lattice temperature / 金珍洋, 朴榮俊, 閔弘植
형태사항 p. 89-95: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. A. 大韓電子工學會. 33卷 3號(1996년 3월), p. 89-95 33:3<89 상세보기 ISSN 1016-135X
저자: 김진양, 정회원, 서울대학교 전자공학과
저자: 박영준, 정회원, 서울대학교 전자공학과
저자: 민홍식, 정회원, 서울대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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