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플라즈마를 이용한 Si(100) 基板위에 Ge 結晶成長 = Plasma-assisted epitaxial growth of ge layer on Si(100)
표제/저자사항 플라즈마를 이용한 Si(100) 基板위에 Ge 結晶成長 = Plasma-assisted epitaxial growth of ge layer on Si(100) / 박명기, 최시영
형태사항 p. 1-8: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子技術硏究誌. 慶北大學校 出版部. 10권(1989년), p. 1-8 10<1 상세보기 ISSN 1225-214X
저자: 박명기, 경북대학교 공과대학 전자공학과
저자: 최시영, 경북대학교 공과대학 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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