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A-Si:H / a-SiN:H 초격자구조를 이용한 박막트랜지스터의 특성 = Characteristics of thin-film transistor with a-Si:H / a-SiN:H superlattices layer
표제/저자사항 A-Si:H / a-SiN:H 초격자구조를 이용한 박막트랜지스터의 특성 = Characteristics of thin-film transistor with a-Si:H / a-SiN:H superlattices layer / 박상준, 최시영
형태사항 p. 175-182: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子技術硏究誌. 慶北大學校 出版部. 14권 1호(1993년), p. 175-182 14:1<175 상세보기 ISSN 1225-214X
저자: 박상준, ㈜ 아펙스, 기술 연구소 연구원
저자: 최시영, 경북대학교 공과대학 전자공학과 교수
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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