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Ar이 이온주입된 Si 기판의 결함회복 특성 = Anneling behavior of ar implant induced damage in Si
표제/저자사항 Ar이 이온주입된 Si 기판의 결함회복 특성 = Anneling behavior of ar implant induced damage in Si / 김광일, 이상환, 정욱진, 배영호, 권영규, 김범만, 삼야 박
형태사항 p. 468-473: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 2권 4호(1993년 11월), p. 468-473 2:4<468 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김광일, 산업과학기술연구소 전자전기연구분야
저자: 이상환, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 정욱진, 산업과학기술연구소 전자전기연구분야
저자: 배영호, 산업과학기술연구소 전자전기연구분야
저자: 권영규, 산업과학기술연구소 전자전기연구분야
저자: 김범만, 포항공과대학 전자전기공학과
저자: 삼야 박, 경응의숙 이공학부전기공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
00520150303111639
007ta
008150107s2001 gak 100 kor
0490 ▼lEM6076783▼lEM6076784▼c2▼fSY
05201▼a470▼b15-3
056 ▼a470▼26
08201▼a570▼223
24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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