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동시증착에 의한 Si(111)-7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장 = In situ epitaxial growth of the tisi2 on si(111)-7×7 substrate by codeposition
표제/저자사항 동시증착에 의한 Si(111)-7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장 = In situ epitaxial growth of the tisi2 on si(111)-7×7 substrate by codeposition / 최치규, 류재연, 오상식, 염병렬, 박형호, 조경익, 이정용, 김건호
형태사항 p. 405-413: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 3권 4호(1994년 11월), p. 405-413 3:4<405 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 최치규, 제주대학교 물리학과
저자: 류재연, 제주대학교 물리학과
저자: 오상식, 제주대학교 물리학과
저자: 염병렬, 한국전자통신연구소 반도체 연구단
저자: 박형호, 한국전자통신연구소 반도체 연구단
저자: 조경익, 한국전자통신연구소 반도체 연구단
저자: 이정용, 한국과학기술원 전자재료공학과
저자: 김건호, 경상대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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