기사
고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성 = (The)formation of epitaxial ptsi films on si(100) by solid phase epitaxy
표제/저자사항 고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성 = (The)formation of epitaxial ptsi films on si(100) by solid phase epitaxy / 최치규, 강민성, 이개명, 김상기, 서경수, 이정용, 김건호
형태사항 p. 319-326: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 4권 3호(1995년 9월), p. 319-326 4:3<319 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 최치규, 제주대학교 물리학과
저자: 강민성, 제주대학교 물리학과
저자: 이개명, 제주대학교 전기공학과
저자: 김상기, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 서경수, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 이정용, 한국과학기술원
저자: 김건호, 경상대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로