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입방형 탄화규소 박막의 적층 성장 = Single source chemical vapor deposition of epitaxial cubic SiC Films on Si
표제/저자사항 입방형 탄화규소 박막의 적층 성장 = Single source chemical vapor deposition of epitaxial cubic SiC Films on Si / 이경원, 유규상, 구수진, 김창균, 고원용, 조용국, 김윤수
형태사항 p. 133-138: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 2호(1996년 6월), p. 133-138 5:2<133 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 이경원, 한국화학연구소 박막재료연구팀
저자: 유규상, 한국화학연구소 박막재료연구팀
저자: 구수진, 한국화학연구소 박막재료연구팀
저자: 김창균, 한국화학연구소 박막재료연구팀
저자: 고원용, 한국화학연구소 박막재료연구팀
저자: 조용국, 경기대학교 물리학과
저자: 김윤수, 한국화학연구소 박막재료연구팀
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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