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GaAs(100) 기판에 사전 열분해하지 않은 Monoethylarsine을 사용하는 Chemical Beam Epitaxy 방법에 의한 InGaAs 박막의 Facet 성장에 관한연구 = Facet growth of ingaas on gaas(100) by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine
표제/저자사항
GaAs(100) 기판에 사전 열분해하지 않은 Monoethylarsine을 사용하는 Chemical Beam Epitaxy 방법에 의한 InGaAs 박막의 Facet 성장에 관한연구 = Facet growth of ingaas on gaas(100) by chemical beam epitaxy using unprecracked monoethylarsine / 김성복, 박성주, 노정래, 이일항
형태사항
p. 199-205: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 3호(1996년 9월), p. 199-205 5:3<199 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김성복, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
저자: 박성주, 광주과학기술원 신소재공학과
저자: 노정래, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
저자: 이일항, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
저자: 김성복, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
저자: 박성주, 광주과학기술원 신소재공학과
저자: 노정래, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
저자: 이일항, 한국전자통신연구소 기초기술연구부
출처
국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
