기사
Remote PECVD로 저온성장된 SiO₂ / InSb의 전기적 특성 = Electrical properties of SiO₂ / InSb prepared by low temperature remote PECVD
표제/저자사항 Remote PECVD로 저온성장된 SiO₂ / InSb의 전기적 특성 = Electrical properties of SiO₂ / InSb prepared by low temperature remote PECVD / 이재곤, 박상준, 최시영
형태사항 p. 223-228: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 5권 3호(1996년 9월), p. 223-228 5:3<223 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 이재곤, 경북대학교 전자공학과
저자: 박상준, (주) 아펙스 연구개발센터
저자: 최시영, 경북대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로