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실리콘 기판 위에 UHV-ICB 증착법으로 적층 성장된 Y₂O₃박막의 BS / channeling연구 = BS / channeling studies on the heteroepitaxially grown Y2O3 films on Si substrates by UHV-ICB deposition
표제/저자사항 실리콘 기판 위에 UHV-ICB 증착법으로 적층 성장된 Y₂O₃박막의 BS / channeling연구 = BS / channeling studies on the heteroepitaxially grown Y2O3 films on Si substrates by UHV-ICB deposition / 김효배, 조만호, 황보상우, 최성창, 최원국, 오정아, 송종한, 황정남
형태사항 p. 235-241: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 6권 3호(1997년 8월), p. 235-241 6:3<235 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김효배, 연세대학교 이과대학 물리학과
저자: 조만호, 연세대학교 이과대학 물리학과
저자: 황보상우, 연세대학교 이과대학 물리학과
저자: 최성창, 한국과학기술연구원 세라믹스부
저자: 최원국, 한국과학기술연구원 세라믹스부
저자: 오정아, 한국과학기술연구원 특성분석센터
저자: 송종한, 한국과학기술연구원 특성분석센터
저자: 황정남, 연세대학교 이과대학 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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