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실리콘 트렌치 식각 특성에 미치는 He-O₂, SiF₄첨가 가스의 영향 = Characteristics of silicon etching related to He-O₂, SiF₄for trench formation
표제/저자사항
실리콘 트렌치 식각 특성에 미치는 He-O₂, SiF₄첨가 가스의 영향 = Characteristics of silicon etching related to He-O₂, SiF₄for trench formation / 김상기, 이주욱, 김종대, 구진근, 남기수
형태사항
p. 364-371: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 6권 4호(1997년 11월), p. 364-371 6:4<364 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김상기, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 이주욱, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 김종대, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 구진근, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 남기수, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 김상기, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 이주욱, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 김종대, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 구진근, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 남기수, 한국전자통신연구원 반도체연구단
출처
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
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650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
