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저압 MOCVD 방법으로 성장된 InAlAs 에피층에서 상분리와 규칙 현상의 관찰 = Observation of phase separation and ordering in the InAlAs epilayer grown on InP by MOCVD
표제/저자사항 저압 MOCVD 방법으로 성장된 InAlAs 에피층에서 상분리와 규칙 현상의 관찰 = Observation of phase separation and ordering in the InAlAs epilayer grown on InP by MOCVD / 조형균, 이번, 백종협, 한원석, 이정용, 권명석
형태사항 p. 290-296: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 8권 3(2)호(1999년 8월), p. 290-296 8:3(2)<290 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 조형균, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 이번, 한국전자통신연구원 원천기술부
저자: 백종협, 한국전자통신연구원 원천기술부
저자: 한원석, 한국전자통신연구원 원천기술부
저자: 이정용, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 권명석, 한국과학기술원 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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