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에미터 구조변화에 따른 AlGaAs / GaAs HBT의 고주파 특성 = Emitter structure dependence of the high frequency performance of AlGaAs / GaAs HBTs
표제/저자사항 에미터 구조변화에 따른 AlGaAs / GaAs HBT의 고주파 특성 = Emitter structure dependence of the high frequency performance of AlGaAs / GaAs HBTs / 김일호
형태사항 p. 167-171: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 9권 2호(2000년 5월), p. 167-171 9:2<167 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김일호, 충주대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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