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W-TiN 복층 전극 소자에서 TiN 박막 형성 조건에 따른 특성 분석 = Characteristics of W-TiN Gate Electrode Depending on the Formation of TiN Thin Film
표제/저자사항 W-TiN 복층 전극 소자에서 TiN 박막 형성 조건에 따른 특성 분석 = Characteristics of W-TiN Gate Electrode Depending on the Formation of TiN Thin Film / 윤선필, 노관종, 양성우, 노용한, 김기수, 장영철, 이내응
형태사항 p. 189-193: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 10권 2호(2001년 7월), p. 189-193 10:2<189 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 윤선필, 성균관대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 노관종, 성균관대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 양성우, 성균관대학교 전기전자및컴퓨터공학부
저자: 노용한, 성균관대학교 재료공학과
저자: 김기수, 성균관대학교 재료공학과
저자: 장영철, 성균관대학교 재료공학과
저자: 이내응, 성균관대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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