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150 mm GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각에서 식각 깊이의 균일도에 대한 가스 흐름의 최적화 연구 = Effect of gas now modulation on etch depth uniformity for plasma etching of 150 mm GaAs wafers
표제/저자사항 150 mm GaAs 웨이퍼의 플라즈마 식각에서 식각 깊이의 균일도에 대한 가스 흐름의 최적화 연구 = Effect of gas now modulation on etch depth uniformity for plasma etching of 150 mm GaAs wafers / 정필구, , 임완태, 조관식, 전민현, 임재영, 이제원, 조국산
형태사항 p. 113-118: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 11권 2호(2002년 6월), p. 113-118 11:2<113 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 정필구, 인제대학교 광대역정보통신학과
저자: 임완태, 인제대학교 광대역정보통신학과
저자: 조관식, 인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소
저자: 전민현, 인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소
저자: 임재영, 인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소
저자: 이제원, 인제대학교 광공학과/나노응용기술연구소 E-MAIL: E-mail: jwlee@ijnc.inje.ac.kr
저자: 조국산, (주)클라이오텍
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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