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다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs / InGaAsP 양자우물의 무질서화 = Dielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs / InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers
표제/저자사항 다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs / InGaAsP 양자우물의 무질서화 = Dielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs / InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers / 조재원, 이희택, 최원준, 우덕하, 김선호, 강광남
형태사항 p. 207-211: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 11권 4호(2002년 12월), p. 207-211 11:4<207 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 조재원, 광운대학교 전자물리학과 E-MAIL: E-mail: surface@daisy.kwangwoon.ac.kr
저자: 이희택, 광운대학교 전자물리학과
저자: 최원준, 한국과학기술연구원 광기술연구센터
저자: 우덕하, 한국과학기술연구원 광기술연구센터
저자: 김선호, 한국과학기술연구원 광기술연구센터
저자: 강광남, 한국과학기술연구원 광기술연구센터
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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