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ECR플라즈마를 이용한 화학증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 = Characteristics of silicon oxide films prepared by chemical vapor deposition using ECR plasma source
표제/저자사항 ECR플라즈마를 이용한 화학증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 = Characteristics of silicon oxide films prepared by chemical vapor deposition using ECR plasma source / 전법주, 오인환, 임태훈, 정일현
형태사항 p. 374-379: 삽도; 29 cm
주기사항 수록자료: 화학공학. 한국화학공학회. 35권 3호(1997년 6월), p. 374-379 35:3<374 상세보기 ISSN 0304-128X
저자: 전법주, 단국대학교 화학공학과
저자: 오인환, 한국과학기술연구원 화공연구부
저자: 임태훈, 한국과학기술연구원 화공연구부
저자: 정일현, 단국대학교 화학공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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