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Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교 = Comparison of growth and properties of GaN with various AlN buffer layers on Si (111) substrate
표제/저자사항
Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교 = Comparison of growth and properties of GaN with various AlN buffer layers on Si (111) substrate / 신희연, 이정욱, 정석훈, 유지범, 양철웅
형태사항
p. 50-58: 삽도; 26 cm
주기사항
수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 11권 1호(2002년 4월), p. 50-58 11:1<50 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 신희연, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 이정욱, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 정성훈, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 유지범, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 양철웅, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 신희연, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 이정욱, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 정성훈, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 유지범, 성균관대학교 금속재료공학부
저자: 양철웅, 성균관대학교 금속재료공학부
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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710 ▼a토지문화관
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
