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LiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 MFSFET′s의 게이트 전극 변화에 따른 특성 = Properties of MFSEET′s with various gate electrodes using LiNbO₃ ferroelectric thin film
표제/저자사항 LiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 MFSFET′s의 게이트 전극 변화에 따른 특성 = Properties of MFSEET′s with various gate electrodes using LiNbO₃ ferroelectric thin film / 정순원, 김광호
형태사항 p. 103-107: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國眞空學會誌. 韓國眞空學會. 11권 2호(2002년 6월), p. 103-107 11:2<103 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 정순원, 청주대학교 전자공학과 E-MAIL: swjung@chongju.ac.kr
저자: 김광호, 청주대학교 정보통신공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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