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Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 P-HEMT소자의 연구 동향
표제/저자사항 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 P-HEMT소자의 연구 동향 / 조신희, 김남영, 김복기
형태사항 p. 19-24: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료. 한국전기전자재료학회. Vol.11 no.8(1998년 8월), p. 19-24 11:8<19 상세보기 ISSN 1226-7937
저자: 조신희, 광운대학교 전자공학과 대학원 RFIC센터 연구원
저자: 김남영, 광운대학교 전자공학과 조교수 RFIC센터 센터장
저자: 김복기, 광운대학교 전자공학과 전임강사 RFIC센터 운영위원
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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