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SiC 반도체 기술현황과 전망 = Status of silicon carbide as a semiconductor device
표제/저자사항 SiC 반도체 기술현황과 전망 = Status of silicon carbide as a semiconductor device / 김은동
형태사항 p. 11-14: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료. 한국전기전자재료학회. Vol.14 no.12(2001년 12월), p. 11-14 14:12<11 상세보기 ISSN 1226-7937
저자: 김은동, 한국전기연구원 전력반도체그룹
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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