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최근의 MOS 구동 사이리스터의 현황과 미래
표제/저자사항 최근의 MOS 구동 사이리스터의 현황과 미래 / 오재근, 이유상, 한민구, 최연익
형태사항 p. 35-41: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료. 한국전기전자재료학회. Vol.15 no.3(2002년 3월), p. 35-41 15:3<35 상세보기 ISSN 1226-7937
저자: 오재근, 서울대 전기공학부
저자: 이유상, 서울대 전기공학부
저자: 한민구, 서울대 전기공학부
저자: 최연익, 아주대 전자공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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