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MRAM (magnetic random access memory) 기술현황 및 연구동향
표제/저자사항 MRAM (magnetic random access memory) 기술현황 및 연구동향 / 이우영, 신경호
형태사항 p. 12-21: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료. 한국전기전자재료학회. Vol.13 no.11(2000년 10월), p. 12-21 13:11<12 상세보기 ISSN 1226-7937
저자: 이우영, 한국과학기술연구원, 박막기술연구센터
저자: 신경호, 한국과학기술연구원, 박막기술연구센터
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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